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.-30V/-4.9A, RDS(on)=53m＆#8486;(t*.)@VGS=-10V
.RDS(on)=53m＆#8486;(t*.)@VGS=-4.5V
.Supper High Density Cell Design
.Reliable and Rugged
.SO-8 Package
D*CRIPTION
Dual P-Channel Enhancement Mode Mosfet
KEY FEATUR*
Power Management in Notebook Computer, Portable Equipment and Battery Powered Systems
APM4953 SOP8